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原子核磁共振显微检测芯片的磁路设计
引用本文:陆荣生,吴卫平,倪中华. 原子核磁共振显微检测芯片的磁路设计[J]. Canadian Metallurgical Quarterly, 2011, 41(3). DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2011.03.020
作者姓名:陆荣生  吴卫平  倪中华
作者单位:东南大学江苏省微纳生物医疗器械设计与制造重点实验室,南京,211189
基金项目:国家自然科学基金重大研究计划(培育)资助项目,东南大学重大科学研究引导基金
摘    要:基于磁路设计理论首先设计了一种适用于原子核磁共振显微检测芯片的永磁磁路;然后根据磁路磁通折射定理和基尔霍夫第一定律对设计的磁路模型进行理论分析,提出了单一匀场环磁路性能优化方法;最后利用有限元方法分别计算了优化前的磁路、单一匀场环优化后磁路和传统的双匀场环优化后磁路.计算结果表明:相比优化前和采用传统的双匀场环优化后的磁路,采用单一匀场环优化后的磁路其性能最优,工作区域内磁场强度和均匀度都得到了极大的提高,磁场强度达到0.703 544 T,工作区域内磁场均匀度为14×10-6.因此所设计的磁路能够较好地满足原子核磁共振显微检测芯片的需求.

关 键 词:核磁共振芯片  单一匀场环  永磁体  折射定理  基尔霍夫定律

Development of micro-permanent magnet magnetic circuit for nuclear magnetic resonance microscopy chip
Lu Rongsheng,Wu Weiping,Ni Zhonghua. Development of micro-permanent magnet magnetic circuit for nuclear magnetic resonance microscopy chip[J]. Canadian Metallurgical Quarterly, 2011, 41(3). DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2011.03.020
Authors:Lu Rongsheng  Wu Weiping  Ni Zhonghua
Abstract:
Keywords:
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