|
|||||
|
|
| 发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备 | |
| 引用本文： | 金霞,梁静秋,李佳,赵莉娜,王维彪. 发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备[J]. 微细加工技术, 2005, 0(4): 76-80 |
| 作者姓名： | 金霞 梁静秋 李佳 赵莉娜 王维彪 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130031;中国科学院研究生院,北京,100039 2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130031 3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130031 |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划资助项目（20030513） |
| 摘 要： | 分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀，完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整，其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。 |
| 关 键 词： | 微显示器件 发光二极管阵列 隔离沟槽 湿法腐蚀 欧姆接触 AlGaInP GaP |
| 文章编号： | 1003-8213（2005）04-0076-05 |
| 收稿时间： | 2005-05-21 |
| 修稿时间： | 2005-07-20 |
Design and Fabrication of Isolation Grooves on the Top Surface of LED Arrays |
|
| JIN Xia,LIANG Jing-qiu,LI Jia,ZHAO Li-na,WANG Wei-biao. Design and Fabrication of Isolation Grooves on the Top Surface of LED Arrays[J]. Microfabrication Technology, 2005, 0(4): 76-80 | |
| Authors: | JIN Xia LIANG Jing-qiu LI Jia ZHAO Li-na WANG Wei-biao |
| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Applied Optics, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130031, China; 2. Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130031, China; 3. Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | microdisplay device LED arrays isolation grooves wet etching Ohmic contact AlGaInP GaP |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |