砷化镓薄膜的电共沉积工艺

一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳电池等器件材料的主要因素。多年来,寻找低成本制备GaAs的工艺便成为半导体工作者的重要研究方向。这里介绍的称之为电共沉积工艺,就是一种低成本制备GaAs薄膜工艺。Chandra等人曾用此工艺成功地制备了CdSe、MoSe、WSe和CuIn-Se_2等薄膜,而对制备GaAs薄膜的研究报导却很少。