| MoCVD生长重掺碳GaAs |
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| 引用本文： | 关兴国,章其麟,李景,任永一,刘燕飞.MoCVD生长重掺碳GaAs[J].微纳电子技术,1993(3). |
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| 作者姓名： | 关兴国 章其麟 李景 任永一 刘燕飞 |
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| 作者单位： | 机电部第13研究所，机电部第13研究所，机电部第13研究所，机电部第13研究所，机电部第13研究所 石家庄 050051，石家庄 050051，石家庄 050051，石家庄 050051，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10~(20)/cm~3,相应的迁移率为37cm~2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。
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| 关 键 词： | 砷化镓 碳掺杂 能带晶格失配 |
Heavily Doped p-type GaAs Grown by MOCVD |
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| Guan Xingguo,Zhang Qilin,Li Jing,Ren Yongyi,Liu Yanfei.Heavily Doped p-type GaAs Grown by MOCVD[J].Micronanoelectronic Technology,1993(3). |
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| Authors: | Guan Xingguo Zhang Qilin Li Jing Ren Yongyi Liu Yanfei |
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| Abstract: | The heavily doped p-type GaAs grown by MOCVD using carbon tetrachlonde (CCl_4) as the dopant source is studied. The high hole concentration in the epilayer was about 1.8×10~(20)/cm~3 with the mobility of 37cm~2/V. s. The enegygap shrinkage and lattice mismatch in heavy carbon doped GaAs was observed. |
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| Keywords: | GaAs Carbon doped Energy-gap Lattice mismatch |
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