| RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究 |
| |
| 引用本文： | 李伟,赵智彪,郑燕兰,李存才,杨全魁,胡建,齐鸣,李爱珍.RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究[J].功能材料与器件学报,1999,5(3):219-223. |
| |
| 作者姓名： | 李伟 赵智彪 郑燕兰 李存才 杨全魁 胡建 齐鸣 李爱珍 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海200050，中国科 |
| |
| 基金项目： | 863 新材料领域专家委员会、中国科学院和上海市科委的资助 |
| |
| 摘 要： | 用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明，Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。
|
| 关 键 词： | RFPlasmaMBE PL谱 硅掺杂 氧化镓 |
GaN GROWN BY RF PLASMA MBE AND STUDIES ON ITS PROPERTIES |
| |
| LI Wei,ZHAO Zhibiao,ZHENG Yanlan,LI Cuncai,YANG Quankui,HU Jian,QI Ming,LI Aizhen.GaN GROWN BY RF PLASMA MBE AND STUDIES ON ITS PROPERTIES[J].Journal of Functional Materials and Devices,1999,5(3):219-223. |
| |
| Authors: | LI Wei ZHAO Zhibiao ZHENG Yanlan LI Cuncai YANG Quankui HU Jian QI Ming LI Aizhen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RF Plasma MBE GaN PL Si doping |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
