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摘    要:
JR全新MOSFET具备快速本体 二极管特性 功率半导体专家国际整流器公司目前推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信

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