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高功率高亮度半导体激光器件
引用本文:顾媛媛,彭航宇,王祥鹏,单肖楠,尹红贺,刘云,宁永强,王立军.高功率高亮度半导体激光器件[J].红外与激光工程,2009,38(3).
作者姓名:顾媛媛  彭航宇  王祥鹏  单肖楠  尹红贺  刘云  宁永强  王立军
作者单位:1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;中国科学院研究生院,北京100039
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033
基金项目:中国科学院装备预研项目,吉林省与中国科学院院地合作项目,科技部国际合作项目,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所创新工程资助项目,吉林省科技厅省长基金 
摘    要:由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域.为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一.进行国内连续808 am两半导体激光迭阵耦合实验.采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2 min×2 mm,总体输出效率大于50%.国内没有对迭阵进行耦合实验的报道.为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中.

关 键 词:光电对抗  半导体激光器  偏振耦合技术  高功率

High power and high brightness diode laser device
GU Yuan-yuan,PENG Hang-yu,WANG Xiang-peng,SHAN Xiao-nan,YIN Hong-he,LIU Yun,NING Yong-qiang,WANG Li-jun.High power and high brightness diode laser device[J].Infrared and Laser Engineering,2009,38(3).
Authors:GU Yuan-yuan  PENG Hang-yu  WANG Xiang-peng  SHAN Xiao-nan  YIN Hong-he  LIU Yun  NING Yong-qiang  WANG Li-jun
Abstract:
Keywords:
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