| AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性 |
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| 引用本文： | 郑泽伟,沈波,陈敦军,郑有炓,郭少令,褚君浩.AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性[J].稀有金属,2004,28(3):491-494. |
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| 作者姓名： | 郑泽伟 沈波 陈敦军 郑有炓 郭少令 褚君浩 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,光电信息功能材料江苏省重点实验室,江苏,南京,210093
2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 683 )，国家高科技研究发展计划 ( 2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4)，国家自然科学基金 ( 60 3 2 5 413 ,
60 13 60 2 0 )，教育部博士点基金 ( 2 0 0 2 0 2 840 2 3 )资助项目 |
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| 摘 要： | 通过低温强磁场下的磁输运实验，研究了AlxGa1-xN／GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质。1．4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5．4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品rq的大小为0．17ps。结果表明，本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g‘‘。用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g‘‘增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向，自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。
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| 关 键 词： | 调制掺杂 AlxGa1-xN／GaN异质结构 二维电子气 迁移率 有效g因子 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0491-04 |
Peroperties of Energy Bands Splitting in Modulation-Doped Al0.22Ga0.78N/GaN Heterostructures |
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| Zheng Zewei,Shen Bo.Peroperties of Energy Bands Splitting in Modulation-Doped Al0.22Ga0.78N/GaN Heterostructures[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(3):491-494. |
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| Authors: | Zheng Zewei Shen Bo |
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| Affiliation: | Zheng Zewei~1,Shen Bo~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | modulation-doped Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructures two-dimentional electron gas mobility effective g factor |
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