| 热敏材料掺磷非晶硅的退火行为 |
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| 引用本文： | 马铁英,李铁,周萍,刘文平,王跃林.热敏材料掺磷非晶硅的退火行为[J].功能材料与器件学报,2007,13(6):588-592. |
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| 作者姓名： | 马铁英 李铁 周萍 刘文平 王跃林 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,微系统技术国家实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,微系统技术国家实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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上海市AM基金 |
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| 摘 要： | 本文对PECVD制备的红外热敏材料掺磷非晶硅薄膜的两个关键热电参数-红外吸收系数和电阻温度系数-采用红外透射谱、拉曼谱和电阻率测量进行了深入的研究。实验结果表明，对样品进行退火30min后，薄膜结构可以达到稳定；随着退火温度的增加，样品的红外透射率下降；当退火温度达到700℃时，薄膜完全晶化；与此同时，电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度和退火温度的增加而减小。根据Lu的模型，对这些现象进行了解释并给出了制备和退火的优化条件。
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| 关 键 词： | 非晶硅 退火 红外 电阻温度系数 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)06-0588-05 |
| 修稿时间： | 2006年12月4日 |
Influence of annealing on phosphor-doped hydrogenated amorphous silicon as thermal sensitive material |
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| MA Tie-ying,LI Tie,ZHOU Ping,LIU Wen-ping,WANG Yue-lin.Influence of annealing on phosphor-doped hydrogenated amorphous silicon as thermal sensitive material[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(6):588-592. |
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| Authors: | MA Tie-ying LI Tie ZHOU Ping LIU Wen-ping WANG Yue-lin |
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