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CdSe纳米棒的制备及光电性能研究
引用本文:郝彦忠,殷志刚. CdSe纳米棒的制备及光电性能研究[J]. 功能材料, 2006, 37(12): 1997-2000
作者姓名:郝彦忠  殷志刚
作者单位:河北科技大学,理学院,河北,石家庄050018;河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018;河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018
基金项目:国家自然科学基金 , 河北省自然科学基金 , 河北省教育厅指导性资助项目
摘    要:
采用水热法制备了CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果表明,纳米棒直径在100nm左右,长度约300nm;纳米棒具有闪锌矿的结构;将CdSe纳米棒均匀涂在导电玻璃的导电面上,在400℃下煅烧30min后制备成纳米棒膜电极,并进行了光电化学研究,纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率(IPCE)可达74%.

关 键 词:水热法  CdSe纳米棒  光电化学
文章编号:1001-9731(2006)12-1997-04
收稿时间:2006-05-29
修稿时间:2006-09-11

Preparation and photoelectrochemical study of CdSe nanorods
HAO Yan-zhong,YIN Zhi-gang. Preparation and photoelectrochemical study of CdSe nanorods[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(12): 1997-2000
Authors:HAO Yan-zhong  YIN Zhi-gang
Abstract:
Keywords:hydrothermal method   CdSe nanorods   photoelectroehemlstry
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