0.1eV n型HgCdTe光电导体双极迁移率与温度的关系

根据过剩少数载流子寿命和高、低电场下响应率之比的实验结果,在10～100K温度范围内,推导了0.1eV n型HgCdTe光电导体双极迁移率与温度的关系。发现温度超过60K时,双极迁移率呈指数下降,而在30K和60K之间时为常值。温度超过60K的这种迁移率的性质表明,主要的散射机理是一种具有～16meV光子能量的极性光学光子的散射。这一结果对于SPRITE探测器的设计是有帮助的。