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| 多晶硅太阳电池少子寿命的数值模拟 | |
| 作者姓名： | 张妹玉 陈朝 |
| 作者单位： | 1. 闽江学院物理学与电子信息工程系,福州,350108 2. 厦门大学物理系,厦门 361005;厦门大学能源学院,厦门 361005 |
| 摘 要： | 主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量,对多晶硅的少子寿命进行数值模拟.在此基础上建立了多晶硅太阳电池的一维物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池输出特性Lsc、Voc、FF和η进行模拟计算,着重分析了晶粒尺寸和基区少子寿命对多晶硅太阳电池性能的影响.模拟结果表明,晶粒尺寸和少子寿命是影响多晶硅太阳电池性能的两个关键因素.当少子寿命较低时,晶粒尺寸对电池效率的影响不大,此时电池效率的提高受限于少子寿命;当少子寿命增大时,电池效率随晶粒尺寸的增大显著提高.同时,从模拟结果可得到电池效率与少子寿命和晶粒尺寸之间的定量关系. |
| 关 键 词： | 多晶硅太阳电池 少子寿命 晶粒尺寸 数值模拟 |
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