| 适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术 |
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| 引用本文： | 羊庆玲,冯建.适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术[J].微电子学,2004,34(2):215-216. |
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| 作者姓名： | 羊庆玲 冯建 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家重点实验室;中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片，并将其应用于VDMOSFET器件的研制。实验结果表明，采用SDB硅片制造出的器件，其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
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| 关 键 词： | VDMOSFET 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)02-0215-02 |
Silicon Direct Bonding Technology for VDMOSFET's |
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| YANG Qing-ling,FENG Jian.Silicon Direct Bonding Technology for VDMOSFET''''s[J].Microelectronics,2004,34(2):215-216. |
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| Authors: | YANG Qing-ling FENG Jian |
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| Abstract: | Silicon wafers are prepared using silicon direct bonding (SDB) technology, which are used for the development of VDMOSFET's. Experimental results indicate that VDMOSFET's based on SDB wafers have better electrical performances than those based on epitaxial substrates. |
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| Keywords: | Silicon direct bonding SOI VDMOSFET Hydrophobic treatment Vander Waals Force |
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