| 氟离子敏场效应管的研制 |
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| 引用本文： | 张虹,韩泾鸿. 氟离子敏场效应管的研制[J]. 传感器与微系统, 2002, 21(9): 27-28 |
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| 作者姓名： | 张虹 韩泾鸿 |
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| 作者单位： | 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
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| 摘 要： | 阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。
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| 关 键 词： | 离子敏场效应晶体管 氟 敏感材料 FISFET 传感器 牙菌斑液 |
| 文章编号： | 1000-9787(2002)09-0027-02 |
| 修稿时间： | 2002-04-29 |
Development of fluoride ion sensitive field effect transistor |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ?ion sensitive field effect transistor(ISFET) fluoride sensitive material |
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