| 硅蒸镀法制备低密度C/C复合材料表面SiC涂层 |
| |
| 引用本文： | 王兵,谭毅,施伟,李佳艳,尤启凡.硅蒸镀法制备低密度C/C复合材料表面SiC涂层[J].材料工程,2015,43(2):1-6. |
| |
| 作者姓名： | 王兵 谭毅 施伟 李佳艳 尤启凡 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,辽宁大连116024;大连理工大学辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁大连116024 |
| |
| 基金项目： | 国家科技支撑计划项目，三束材料改性教育部重点实验室开放课题 |
| |
| 摘 要： | 采用浆料法在低密度C/C复合材料表面制备了石墨涂层,然后利用硅蒸镀法使硅蒸气与石墨涂层反应生成SiC涂层.借助X射线衍射、扫描电子显微镜等研究了蒸镀温度、蒸镀时间、石墨涂层表面粗糙度、硅蒸发源及气氛条件对涂层微观结构、相组成、致密度、平整度以及涂层厚度的影响.结果表明:随着蒸镀温度的升高,涂层的表面平整度增加,当蒸镀温度为1550℃和1650℃时,涂层表面仅存在SiC;硅块为硅蒸发源,氩气为保护气氛均可提高涂层表面平整度;降低石墨涂层的表面粗糙度,涂层的致密度和连续性增大;随着蒸镀时间的增加,SiC涂层厚度和致密度逐渐增加.
|
| 关 键 词： | 低密度C/C复合材料 硅蒸镀法 SiC涂层 |
SiC Coating on Low Density Carbon/Carbon Composites Prepared by Silicon Evaporation |
| |
| WANG Bing,TAN Yi,SHI Wei,LI Jia-yan,YOU Qi-fan.SiC Coating on Low Density Carbon/Carbon Composites Prepared by Silicon Evaporation[J].Journal of Materials Engineering,2015,43(2):1-6. |
| |
| Authors: | WANG Bing TAN Yi SHI Wei LI Jia-yan YOU Qi-fan |
| |
| Affiliation: | WANG Bing;TAN Yi;SHI Wei;LI Jia-yan;YOU Qi-fan;Key Laboratory of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams(Ministry of Education),Dalian University of Technology;Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province,Dalian University of Technology; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | low density carbon/carbon composite silicon evaporation SiC coating |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
