| CMOS工艺兼容多晶硅压力敏感膜的设计与加工 |
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| 引用本文： | 周闵新,秦明,黄庆安.CMOS工艺兼容多晶硅压力敏感膜的设计与加工[J].微纳电子技术,2003,40(7):470-473. |
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| 作者姓名： | 周闵新 秦明 黄庆安 |
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| 作者单位： | 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 在MEMS表面加工工艺中，多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分。本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围，建立多晶硅膜的大变形模型，设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸。采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证，提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法，并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工，加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性。
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| 关 键 词： | CMOS 多晶硅压力敏感膜 表面加工工艺 电容式绝对压力传感器 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0470-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
Design and fabrication of CMOS-compatible polysilicon diaphragms for pressure sensor applications |
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