GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟 |
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作者姓名: | 王维航 叶润涛 郭妙泉 余志平 |
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作者单位: | 浙江大学信息与电子工程系,浙江大学信息与电子工程系,浙江大学信息与电子工程系,清华大学微电子学研究所 杭州 310008,杭州 310008,杭州 310008,北京 100084 |
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摘 要: | 本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给出了一种由P集电区、P~+缓变基区和AlGaAs/GaAs异质发射结组成的N~+P~+PN新结构,预计将对缩短基区-集电区渡越时间有明显的作用。
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关 键 词: | GaAs器件 载流子 蒙特卡罗模拟 |
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