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一种预失真可调InGaP/GaAs HBT射频功率放大器
引用本文:钱罕杰,王钟,胡善文,张晓东,高怀. 一种预失真可调InGaP/GaAs HBT射频功率放大器[J]. 微电子学, 2010, 40(5)
作者姓名:钱罕杰  王钟  胡善文  张晓东  高怀
摘    要:提出了一种具有可调预失真功能的共集电极放大电路,对其动态偏置点及双负反馈回路进行了分析.AWR Microwave Office仿真表明:该预失真电路产生的增益扩展与负相位偏差可以补偿该功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,提高其线性度.采用该预失真电路作为输入级,设计了一款功率放大器,并基于截止频率为29.5 GHz的2 μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片.测试结果表明,该宽带放大器在3.5 V偏置电压下和1.3~2.0 GHz频段范围内功率增益可达27 dB,P1dB为28.6 dBm,最大功率附加效率为39%.

关 键 词:功率放大器  异质结双极晶体管  预失真  负反馈回路

A New InGaP/GaAs HBT RF Power Amplifier with Programmable Pre-distortion
QIAN Hanjie,WANG Zhong,HU Shanwen,ZHANG Xiaodong,GAO Huai. A New InGaP/GaAs HBT RF Power Amplifier with Programmable Pre-distortion[J]. Microelectronics, 2010, 40(5)
Authors:QIAN Hanjie  WANG Zhong  HU Shanwen  ZHANG Xiaodong  GAO Huai
Abstract:
Keywords:
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