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| CMOS离子敏场效应管SPICE模型 | |
| 引用本文： | 刘肃,韩富强,于峰崎.CMOS离子敏场效应管SPICE模型[J].传感器与微系统,2005,24(10):16-18,22. |
| 作者姓名： | 刘肃 韩富强 于峰崎 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学,微电子系,甘肃,兰州,730000 2. 兰州大学,微电子系,甘肃,兰州,730000;苏州中科集成电路设计中心,江苏,苏州,215021 3. 苏州中科集成电路设计中心,江苏,苏州,215021 |
| 摘 要： | 完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 |
| 关 键 词： | 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序 |
| 文章编号： | 1000-9787（2005）10-0016-03 |
| 收稿时间： | 04 12 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-04-12 |
SPICE model for CMOS ISFET |
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| LIU Su,HAN Fu-qiang,YU Feng-qi.SPICE model for CMOS ISFET[J].Transducer and Microsystem Technology,2005,24(10):16-18,22. | |
| Authors: | LIU Su HAN Fu-qiang YU Feng-qi |
| Abstract: | It is possible to fabricate ISFET entirely using CMOS process. The gate structure of the ISFET is a multilayer,which consists of insulator,poly and metal. So it is called multilayer-gate. According to the principle of threshold voltage of MOSFET, a physical model for the muhilayer-gate ISFET in SPICE is founded, and the static intput-output characteristic of the ISFET is simulated. The simulation results agree with the experiments. |
| Keywords: | ion-sensitive field effect transistor(ISFET) device model simulation program with integrated circuit emphasis(SPICE) |
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