| ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化过程中负向电压对陶瓷膜层形成的影响 |
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| 引用本文： | 韩春霞,刘向东,刘彩文,刘永珍,王晓军.ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化过程中负向电压对陶瓷膜层形成的影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(Z3):117-120. |
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| 作者姓名： | 韩春霞 刘向东 刘彩文 刘永珍 王晓军 |
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| 作者单位： | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010051 |
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| 基金项目： | 内蒙古科技攻关项目(20040202) |
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| 摘 要： | 在交流条件下,采用硅酸钠电解液,通过调节不同的负向电压值,在ZAlSi12Cu2Mg1合金表面制得了微弧氧化陶瓷膜层.研究了不同的负向电压值对陶瓷膜层形成过程的影响.结果表明负向电压从80V到160V变化时,氧化时间从5 min延长到65 min,膜层厚度从28 μm增加到208μm,致密度从0.267 g/cm3增大到1.048 g/cm3,特别是微弧氧化第2阶段氧化时间,在负向电压为160 V时持续了32 min,试样表面逐渐变粗糙;在电解液组成为NaSiO38 g/L,NaOH 2 g/L,Na2EDTA 2g/L下,适宜的正/负向电压值为480/140 V,获得厚度为166 μm的膜层.XRD分析表明陶瓷层主要由莫来石、α-Al2O3和γ-Al2O3以及氧化铝的非晶物质组成.
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| 关 键 词： | 微弧氧化 负向电压 陶瓷膜层 |
| 文章编号： | 1002-185X(2007)S3-117-04 |
| 修稿时间： | 2006年9月20日 |
Effect of Cathode Voltage in Micro-Arc Oxidation on Ceramic Coating Film of ZAlSi12Cu2Mg1 Alloy |
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| Han Chunxia,Liu Xiangdong,Liu Caiwen,Liu Yongzhen,Wang Xiaojun.Effect of Cathode Voltage in Micro-Arc Oxidation on Ceramic Coating Film of ZAlSi12Cu2Mg1 Alloy[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(Z3):117-120. |
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| Authors: | Han Chunxia Liu Xiangdong Liu Caiwen Liu Yongzhen Wang Xiaojun |
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