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| Si(111)面氟吸附的研究 | |
| 引用本文： | 唐少平,蒋平,张开明.Si(111)面氟吸附的研究[J].半导体学报,1986,7(2):183-189. |
| 作者姓名： | 唐少平 蒋平 张开明 |
| 作者单位： | 复旦大学现代物理研究所 (唐少平，蒋平)，复旦大学现代物理研究所(张开明) |
| 摘 要： | 本文先用集团模型和电荷自治的EHT方法研究了Ⅶ族元素F在 Si(111)面的化学吸附,利用能量极小原理确定了化学吸附位置;在此基础上,采用薄片(SLAB)模型和EHT经验紧束缚方法对吸附体系的电子结构作了计算.计算结果表明,F可以吸附在Si(111)面的顶位和三度空位上,但以顶位为更稳状态.顶位吸附时,F与表面的距离为1.53A,吸附能为4.7eV;三度位吸附时,F与表面的距离为-2.2A,吸附能为3.1eV.吸附后,F对总态密度和能带的贡献主要局域在真空能级下-17eV～-19eV之间.此外,顶位吸附使原清洁表面悬键引起的表面态消失. |
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