| 注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷 |
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| 引用本文： | 梁振宪, 罗晋生. 注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(1): 65-70. |
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| 作者姓名： | 梁振宪 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学微电子技术研究所,西安交通大学微电子技术研究所 西安 中国科学院西安光机所博土生,西安 |
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| 摘 要： | 用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec0.53eV,n=2.310-16cm2;ET2=Ec0.81eV,m=9.710-13cm2;密度典型值为NT1=8.01016cm-3,NT2=3.81016cm-3;表面附近,ET1=Ec0.45eV,NT1=1.91016cm-3;ET2=Ec0.71eV,NT2=1.21016cm-3,分别以[AsiVAs,AsGa]和[VAsAsiVGaAsGa]等作为ET1和ET2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。
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| 关 键 词： | 注硅砷化镓 快速热退火 离子注入 深能级 |
| 收稿时间： | 1989-10-14 |
| 修稿时间： | 1990-02-26 |
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