| MOCVD生长的InGaN合金的性质 |
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| 引用本文： | 闫华,卢励吾,王占国. MOCVD生长的InGaN合金的性质[J]. 半导体学报, 2001, 22(2): 166-170 |
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| 作者姓名： | 闫华 卢励吾 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重点基金资助项目(No.69789601)． |
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| 摘 要： | 对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样
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| 关 键 词： | MOCVD InGaN 光致发光(PL) 扫描电镜(SEM) |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）02-0166-05 |
| 修稿时间： | 2000-02-02 |
Properties of InGaN Layers Grown on Sapphire Substrates by MOCVD |
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| YAN Hua. Properties of InGaN Layers Grown on Sapphire Substrates by MOCVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(2): 166-170 |
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| Authors: | YAN Hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD InGaN PL SEM |
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