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锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响
引用本文:杜红亮,杜红娜,周万城,裴志斌,屈绍波.锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响[J].硅酸盐学报,2005,33(6):776-779.
作者姓名:杜红亮  杜红娜  周万城  裴志斌  屈绍波
作者单位:1. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072
2. 空军工程大学理学院,西安,710051
基金项目:空军工程大学基金(20002X08)资助项目。
摘    要:采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti,Zr)O3-xMnO2压电陶瓷,分析了经1150℃烧结2h制备的陶瓷样品的相结构组成。实验结果表明:所有陶瓷样品均为钙钛矿相,未发现其它晶相。随着锰掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大。研究了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响。结果表明:随着锰掺杂量的增加,材料逐渐变“硬”,当MnO2掺杂量少于0.2%(按质量计,下同)时,相对介电常数εr、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加,介电损耗tanδ减小;当MnO2掺杂量多于0.2%时,εr、d33和Qm逐渐降低,tanδ增加。随着锰掺杂量的增加,机电耦合系数kp和Curie温度θc逐渐减小。MnO2掺杂量为0.2%的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其压电性能为:εr=2138,tanδ=0.0058,kp=0.613,Qm=1275,d33=380pC/N和θc=205℃。

关 键 词:钨镍酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷  锰掺杂  介电性能  压电性能
文章编号:0454-5648(2005)06-0776-04
修稿时间:2004年7月9日

EFFECT OF MANGANESE DOPING ON MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF PNW- PMS-PZT CERAMICS
DU Hongliang,DU Hongna,Zhou Wancheng,PEI Zhibin,Qu Shaobo.EFFECT OF MANGANESE DOPING ON MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF PNW- PMS-PZT CERAMICS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2005,33(6):776-779.
Authors:DU Hongliang  DU Hongna  Zhou Wancheng  PEI Zhibin  Qu Shaobo
Affiliation:DU Hongliang~1,DU Hongna~1,ZHOU Wancheng~1,PEI Zhibin~2,QU Shaobo~2
Abstract:
Keywords:lead tungstate nickelatelead antimonate manganatelead zirconate titanate piezoelectric ceramics  manganese doping  dielectric property  piezoelectric property  
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