| TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析 |
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| 引用本文： | 褚维群,郭炜. TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析[J]. 计算机技术与发展, 2008, 18(2): 223-225,229 |
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| 作者姓名： | 褚维群 郭炜 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学微电子学院,上海,200030;上海贝尔阿尔卡特有限公司,上海,201206
2. 上海交通大学微电子学院,上海,200030 |
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| 摘 要： | 针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的"非晶化"影响进行分析和研究.在总结已有成果的基础上,得到一些新的突破:通过可信、简便的制样方法,可以直接观察到"非晶层";可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的lC硅衬底样品的极限厚度.通过一系列自主设计的实验,得到如下结果:离子束的能量对"非晶层"厚度的影像非常大;"非晶层"的厚度与切割时离子束的加速电压有关,与离子束电流及入射角度等基本无关.
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| 关 键 词： | TEM样品制备 非晶化 聚焦离子柬 样品制备 聚焦离子束 损伤分析 Sample 入射角度 束电流 加速电压 切割 影像 极限厚度 能量 结果 实验 自主设计 硅衬底 非晶层 直接观察 制样方法 研究 影响 |
| 文章编号： | 1673-629X（2008）02-0223-03 |
| 收稿时间： | 2007-05-16 |
Analysis for Sample by FIB in TEM |
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| CHU Wei-qun,GUO Wei. Analysis for Sample by FIB in TEM[J]. Computer Technology and Development, 2008, 18(2): 223-225,229 |
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| Authors: | CHU Wei-qun GUO Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TEM sample preparation amorphous foens ion beam |
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