| 光纤材料锗缺氧中心与环结构特性研究 |
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| 引用本文： | 宫仁祥,文建湘,肖中银,罗文芸,王廷云.光纤材料锗缺氧中心与环结构特性研究[J].光电子．激光,2017,28(12):1320-1324. |
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| 作者姓名： | 宫仁祥 文建湘 肖中银 罗文芸 王廷云 |
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| 作者单位： | 上海大学 特种光纤与光接入网实验室,上海 200044,上海大学 特种光纤与光接入网实验室,上海 200044,上海大学 特种光纤与光接入网实验室,上海 200044,上海大学 特种光纤与光接入网实验室,上海 200044,上海大学 特种光纤与光接入网实验室,上海 200044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61520106014,6,61422507,6,11575108)和上海市科学技术委员会(155220721500,15ZR1415900)资助项目 (上海大学 特种光纤与光接入网实验室,上海 200044) |
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| 摘 要： | 利用密度泛函理论(DFT)研究光纤材料中锗缺氧中 心(Ge-DDC)与环 结构特性,建立基于三环结构的Si-O-Si结构模型和Ge-ODC模型；同时,通过紫外可见光 (UV-Vis)吸收与拉曼测试分析研究光纤材料的微结构 特性。理论分析结果表明:对于未掺杂Ge的光纤材料,其带隙为8.36eV左右；而对于掺杂Ge元素的光纤材料,其带隙为 5.0eV左右,会在242nm波长处形成一个吸收 中心,并且它与Ge-ODC缺陷中心的吸收中心相 对应。在Ge-ODC缺陷结构中,其三环 Si-O-Si结构与Ge原子之间存在紧密联系。当掺Ge的光纤材料经辐照处理后,光纤材料中 容易产生GeE′和SiE′缺陷中心。光纤材 料受到不同剂量辐照后,光纤材料中的三环结构数量随着剂量的增加而减少。研究结果表明 ,石英材料中Ge-ODC缺陷结构容易产生 于环结构周围,并容易受到外界能量的影响。Ge-ODC与环结构特性的理论研究,对 超低损耗石英光纤的制备与设计具有重要的实际应用意义。
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| 关 键 词： | 锗缺氧中心(Ge-ODC) 环结构 辐射诱导缺陷 |
| 收稿时间： | 2017/4/13 0:00:00 |
Germanium oxygen deficient centers and ring structure characteristics in silica fiber materials |
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| GONG Ren-xiang,WEN Jian-xiang,XIAO Zhong-yin,LUO Wen-yun and W ANG Ting-yun.Germanium oxygen deficient centers and ring structure characteristics in silica fiber materials[J].Journal of Optoelectronics·laser,2017,28(12):1320-1324. |
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| Authors: | GONG Ren-xiang WEN Jian-xiang XIAO Zhong-yin LUO Wen-yun and W ANG Ting-yun |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Specialty Fiber Optics and Optical Access Networks,Shanghai U niversity,Shanghai 200044,China,Key Laboratory of Specialty Fiber Optics and Optical Access Networks,Shanghai U niversity,Shanghai 200044,China,Key Laboratory of Specialty Fiber Optics and Optical Access Networks,Shanghai U niversity,Shanghai 200044,China,Key Laboratory of Specialty Fiber Optics and Optical Access Networks,Shanghai U niversity,Shanghai 200044,China and Key Laboratory of Specialty Fiber Optics and Optical Access Networks,Shanghai U niversity,Shanghai 200044,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge oxygen deficient centers (Ge-ODC) ring structure radiation induced defect |
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