| 抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究 |
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| 引用本文： | 张秀芳,杜红文,张瑞丽,张亚萍,孙法,席珍强.抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究[J].浙江理工大学学报,2010,27(2):283-286. |
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| 作者姓名： | 张秀芳 杜红文 张瑞丽 张亚萍 孙法 席珍强 |
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| 作者单位： | 1. 浙江理工大学材料工程中心,杭州,310018
2. 浙江机电职业技术学院,杭州,310053 |
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| 基金项目： | 浙江理工大学人才引进基金资助，浙江省科技计划项目资助 |
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| 摘 要： | 采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si(100)单晶片表面粗糙度的影响,结果表明:低温下,硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大,是造成硅片表面粗糙度大的主要原因;而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响,局部腐蚀速率差减小,硅片表面较为平整。另外,硅片在质量分数为20%~30%的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小,是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快,而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。
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| 关 键 词： | Si（100）单晶片 表面粗糙度 温度 NaOH浓度 |
Study on the Surface Roughness of(100) Silicon Wafers before Polishing |
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