| 退火对Cu50Zr42Al8非晶合金电阻的影响 |
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| 引用本文： | 胡勇,寇生中,薛书微,丁雨田,许广济. 退火对Cu50Zr42Al8非晶合金电阻的影响[J]. 特种铸造及有色合金, 2007, 27(4): 250-252 |
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| 作者姓名： | 胡勇 寇生中 薛书微 丁雨田 许广济 |
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| 作者单位： | 兰州理工大学材料科学与工程学院,甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用惠更斯电桥法和X射线衍射技术测试了Cu50Zr42Al8块状非晶合金在不同温度(500~600℃)保温20min和550℃保温不同时间(10~60min)条件下的电阻值与结构变化。研究发现,Cu50Zr42Al8块状非晶合金的电阻值在接近晶化温度Tx的515~520℃温度区间附近增加得较快,呈现出电阻极大现象,且随着退火温度的升高和保温时间的延长,电阻值均呈现出先增大后减小的变化趋势。
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| 关 键 词： | 铜基块状非晶合金 晶化 电阻 有序原子团簇 微观结构 |
| 文章编号： | 1001-2249（2007）04-0250-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-28 |
Effects of Annealing Temperature on Electric Resistance of Amorphous Cu50Zr42Al8 Alloy |
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| Hu Yong,Kou Shengzhong,Xue Shuwei,Ding Yutian,Xu Guangji. Effects of Annealing Temperature on Electric Resistance of Amorphous Cu50Zr42Al8 Alloy[J]. Special Casting & Nonferrous Alloys, 2007, 27(4): 250-252 |
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| Authors: | Hu Yong Kou Shengzhong Xue Shuwei Ding Yutian Xu Guangji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu-based Bulk Amorphous Alloy Crystallization Electric Resistance Order-atom Cluster Microstructure |
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