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| 新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性 | |
| 作者姓名： | 石瑞英 刘训春 袁志鹏 王润梅 孙海锋 |
| 作者单位： | 四川大学物理系 成都610064 (石瑞英),中国科学院微电子中心 北京100029 (刘训春,袁志鹏,王润梅),中国科学院微电子中心 北京100029(孙海锋) |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区In Ga P/Ga As异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达10 0 ,补偿电压低至70 m V .同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性. |
| 关 键 词： | 电子运动速度过冲 复合收集区 异质结双极晶体管 直流和射频特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0316-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-02 |
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