吐温80—H2O2化学发光新体系测定痕量lr(lV) |
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引用本文: | 韩鹤友,罗庆尧.吐温80—H2O2化学发光新体系测定痕量lr(lV)[J].贵金属,1994,15(3):41-44. |
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作者姓名: | 韩鹤友 罗庆尧 |
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摘 要: | 建立了吐温80-H2O2体系测定痕量铱的新的化学发光分析法,方法的检测限为3.0×10^-9g/ml,线性范围为1.0×10^-8~1.0×10^-5g/ml,测定100ppb铱溶液的相对标准偏差为6.5%。
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关 键 词: | 铱 吐温80 化学发光 痕量分析 |
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