| 砷化镓PIN管单片限幅器 |
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| 引用本文： | 陈新宇,蒋幼泉,许正荣,黄子乾. 砷化镓PIN管单片限幅器[J]. 固体电子学研究与进展, 2006, 26(4): F0003-F0003 |
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| 作者姓名： | 陈新宇 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | <正>在微波功率发射系统中,为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器(LNA)被发射的泄漏功率烧毁,需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态,在高功率的微波信号通过限幅器时,被衰减到较低的功率电平,而小功率微波信号则以较小的插损顺利通过。GaAsPIN二极管是实现单片限幅器的首选技术。GaAsPIN二极管在微波频段具有低的导通电阻,小的结电容,高击穿电压,易于集成等特点,因此采用GaAsPIN二极管的单片限幅器具有插损小、体积小、耐功率高等优点,受到广泛重视。南京电子器件研究所技术人员,基于现有的MOCVD材料生长技术和φ76mm砷化镓工艺线,成功开发了一套完整的砷化镓PIN管限幅器单片生产技术,其中包括GaAsPIN管的结构设计,GaAs限幅器的电路设计以及GaAs限幅器的工艺技术。已研制出的产品在各个频段带内具有低插损,承受功率大,泄漏电平低,无需外加偏置等优点。具体性能参数如表1所示。
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| 关 键 词： | 限幅器 PIN管 砷化镓 低噪声放大器 PIN二极管 单片 发射系统 微波功率 |
GaAs PIN Limiter MMIC |
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| CHEN Xinyu,JIANG Youquan,XU Zhengrong,HUANG Ziqian. GaAs PIN Limiter MMIC[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2006, 26(4): F0003-F0003 |
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| Authors: | CHEN Xinyu JIANG Youquan XU Zhengrong HUANG Ziqian |
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| Affiliation: | Nanjing Electronic Devices Institute, 210016, Nanjing, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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