| 新型高速高精度CMOS预充电比较器 |
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| 引用本文： | 王江燕,裴杰.新型高速高精度CMOS预充电比较器[J].电子科技,2009,22(5). |
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| 作者姓名： | 王江燕 裴杰 |
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| 作者单位： | 1. 空军第一航空学院航空电子工程系,河南,信阳,464000
2. 空军第一航空学院军械工程系,河南,信阳,464000 |
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| 摘 要： | 采用预充电技术和合理的反馈结构设计了一种比较器,与一般的比较器相比,该电路具有更快的响应速度,更高的精度和灵敏度,较小的失调电压和较低的功耗.该比较器采用典型的TSMC 0.6μm硅CMOS工艺模型,利用Cadence进行模拟仿真.结果表明,比较器的延时为0.069μs,精度为20 mV,在5 V电源电压下,功耗为0.776 5 W.
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| 关 键 词： | 预充电 正反馈 响应速度 失调电压 |
A Novel High-Speed High-Accuracy CMOS Precharge Comparator |
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| Wang Jiangyan,Pei Jie.A Novel High-Speed High-Accuracy CMOS Precharge Comparator[J].Electronic Science and Technology,2009,22(5). |
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| Authors: | Wang Jiangyan Pei Jie |
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| Affiliation: | 1.Department of Electronic Engineering;The First Aviation College of Airforce;Xinyang 464000;China;2.Department of Ordnance Engineering;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pre-charge positive feedback response speed offsets voltage |
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