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碳化硅半导体材料的研究现状及发展前景
摘 要:
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点,是具有广阔前景的第三代半导体材料。本文从半导体产业链分析了碳化硅半导体的研究现状及发展前景。
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