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适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs/GaAsBH激光器
引用本文:殷景志,沈澍乔.适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs/GaAsBH激光器[J].广西工学院学报,1995,6(1):55-58.
作者姓名:殷景志  沈澍乔
作者单位:吉林工业大学理科部,吉林大学电子科学系
摘    要:本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装SI衬底上的GaAlAs/GaAsBH激光器。其制造工艺简单,全部结构由两次外延形成,目前条宽6-8μm,腔长250μm的HB激光器已实现了室温连续工作,典型阀值电流为40-50mA,最低阀值电流为28mA。

关 键 词:激光器  集成  光发射机  镓铝砷  砷化镓

A GaAlAs/GaAs BH Laser Applied to OFLC Fabrication
Yin Jingzhi.A GaAlAs/GaAs BH Laser Applied to OFLC Fabrication[J].Journal of Guangxi University of Technology,1995,6(1):55-58.
Authors:Yin Jingzhi
Affiliation:Yin Jingzhi (Jilin University of Technology)Shen Shuqiao;Hu Lizhong (Jiin University)
Abstract:
Keywords:GaAlAs/GaAs BH laser  OFIC fabrication  SI substrate  
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