| 铁电场效应晶体管的建模与模拟 |
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| 引用本文： | 张玉薇,王华,任鸣放,丘伟. 铁电场效应晶体管的建模与模拟[J]. 现代电子技术, 2006, 29(1): 123-125 |
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| 作者姓名： | 张玉薇 王华 任鸣放 丘伟 |
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| 作者单位： | 桂林电子工业学院,广西,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 广西壮族自治区自然科学基金(0236062) |
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| 摘 要： | ![]()
得到了一个铁电场效应晶体管(MFIS结构)的新的模型,并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式。基于Pao和Sah双积分且考虑了铁电材料的非饱和极化得到漏极电流的精确模拟,并给出了器件模拟结果。通过对器件的模拟,最后总结了一些提高铁电场效应晶体管性能的规律。
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| 关 键 词： | 铁电场效应晶体管 铁电极化 模拟 建模 |
| 文章编号： | 1004-373X（2006）01-123-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-15 |
| 修稿时间： | 2005-09-15 |
Modeling and Simulation for Ferroelectric Memory Field Transistors |
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| ZHANG Yuwei,WANG Hua,REN Mingfang,QIU Wei. Modeling and Simulation for Ferroelectric Memory Field Transistors[J]. Modern Electronic Technique, 2006, 29(1): 123-125 |
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| Authors: | ZHANG Yuwei WANG Hua REN Mingfang QIU Wei |
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| Affiliation: | Guilin University of Electronic Technology,Guilin,541004,China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ferroelectric memory field effect transistor erroelectric polarization simulation modeling |
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