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| 二氧化硅掺砷乳胶源的涂布扩散 | |
| 引用本文： | 姚勤泽.二氧化硅掺砷乳胶源的涂布扩散[J].半导体技术,1984(1). |
| 作者姓名： | 姚勤泽 |
| 作者单位： | 卫光电工厂研究所 |
| 摘 要： | 由于砷的固溶度较高,可获得较高的表面浓度,其扩散系数小适应于V-MOS的源区扩散,为栅氧化的温度选择创造了一个有利的条件.以往由于砷有剧毒,给实际应用带来一定的困难,故一直未被采用.但采用掺砷二氧化硅乳胶源做为扩散源,这种乳胶源能最大限度的控制有毒物质的析出量,减少了对环境的污染,保证了工作人员的安全,为人们的应用开辟了一个可行的途径.现将二氧化硅乳胶源的扩散过程作一简介. |
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