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| 在H_2O_2-H_2SO_4-H_2O溶液的InP化学腐蚀 | |
| 引用本文： | 刘旭东.在H_2O_2-H_2SO_4-H_2O溶液的InP化学腐蚀[J].半导体技术,1980(4). |
| 作者姓名： | 刘旭东 |
| 摘 要： | 在InGaAsP/InP长波长光电器件制备中,通常InP衬底是用Br_2-CH_3OH溶液腐蚀,但是腐蚀后的表面仍出现大量的小坑和划痕.实验证明用H_2O_2-H_2SO_4-H_2O先对InP衬底预腐蚀,再经三氯乙稀、丙酮和酒精清洗,然后在室温下,用Br_2-CH_3OH搅拌腐蚀可以得到光亮无小坑划痕的InP表面,减少衬底缺陷向外延层的蔓延,从而改善了外延层表面. |
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