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输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器
引用本文:徐跃,杨英强.输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器[J].微电子学与计算机,2009,26(6).
作者姓名:徐跃  杨英强
作者单位:南京邮电大学,光电工程学院,江苏,南京,210003
基金项目:南京邮电大学科学基金 
摘    要:设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence SpectreRF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24~2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mw.

关 键 词:压控振荡器  输入输出调谐  互补型交叉耦合对  相位噪声

A Tuned-Input Tuned-Output Low-Phase-Noise CMOS VCO
XU Yue,YANG Ying-qiang.A Tuned-Input Tuned-Output Low-Phase-Noise CMOS VCO[J].Microelectronics & Computer,2009,26(6).
Authors:XU Yue  YANG Ying-qiang
Abstract:
Keywords:
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