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| 氢在GaAs(110)表面吸附的研究 | |
| 引用本文： | 蒋平,杨志宇,陈福浩.氢在GaAs(110)表面吸附的研究[J].半导体学报,1984,5(3):331-335. |
| 作者姓名： | 蒋平 杨志宇 陈福浩 |
| 作者单位： | 复旦大学现代物理研究所 (蒋平，杨志宇)，复旦大学现代物理研究所(陈福浩) |
| 摘 要： | 采用EHMO方法计算了氢在GaAs(110)表面的吸附,确定了氢原子在表面的吸附位置.计算结果表明,Ga与As都能吸附氢原子,最稳定的吸附位置在As的悬键位,其次为Ga的悬键位;氢与表面原子形成共价键,键长均约为1.32A|°.当氢原子吸附于As的悬键位时,禁带中出现由As原子及Ga原子引入的表面态.同时计算表明GaAs(110)表面不能吸附分子态的氢,与已知的实验结果相符. |
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