Vishay推出业内首款具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管

新型SkyFET(?)器件采用密封PolarPAK(?)封装,导通电阻低至0.0024Ω,Qrr为30-nC,可处理的电流比SO-8高50%宾夕法尼亚、MALVERN 2008年9月26日Vishay Interrechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)今天宣布,推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30v单片功率MOSFET和肖特基二极管——SkyFET(?) SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET(?) SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK(?)封装,可提升高电流、高频运用的效率。