| 基于MIS电容器的Al2O3与In0.74Al0.26As的界面特性 |
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| 作者姓名： | 万露红 邵秀梅 李雪 顾溢 马英杰 李淘 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 传感器技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 传感器技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感器技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感器技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感器技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感器技术国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China （61704180,62175250） |
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| 摘 要： | 采用In0.74Al0.26As/In0.74Ga0.26As/InxAl1-xAs异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器。其中,SiNx和SiNx/Al2O3分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiNx相比,通过原子层沉积生长的Al2O3可以有效地抑制Al2O3和In0.74Al0.26As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiNx/Al2O3/In...
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| 关 键 词： | InAlAs 原子层沉积 2O3" name="keyword">Al2O3 x" name="keyword">SiNx 金属-绝缘体-半导体电容器 界面态密度 |
| 收稿时间： | 2021-04-10 |
| 修稿时间： | 2022-04-06 |
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