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基于复合铁氧体基片的三倍频程超宽带微带环行器设计与仿真分析
引用本文:高黎文,刘凯,刘颖力,王雨,巫崇胜,刘谦,曾千骞.基于复合铁氧体基片的三倍频程超宽带微带环行器设计与仿真分析[J].磁性材料及器件,2018(3).
作者姓名:高黎文  刘凯  刘颖力  王雨  巫崇胜  刘谦  曾千骞
作者单位:电子科技大学电子科学与工程学院;驻长虹集团军代表室
摘    要:通常利用单一铁氧体材料制成的微带环行器难以有超倍频程的带宽。根据一般微带环行器的设计理论,利用两种不同的铁氧体材料构成的复合基片设计并制作了一种工作在三倍频程带宽的超宽带微带环行器。仿真结果表明,该环行器在6~18 GHz的工作频带内,插入损耗(|S12|)小于1 d B,回波损耗(|S11|)大于20 d B,隔离度(|S21|)约19 d B,满足超宽带微带环行器的设计指标。除在整个工作频带内插入损耗有所增加且在低频段的6~6.5 GHz内出现了低场损耗外,实测结果与仿真结果基本吻合。文末讨论了实测结果和仿真结果之间出现低场损耗等差异的原因。

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