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| CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究 | |
| 引用本文： | 高剑侠,竺士扬.CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究[J].微细加工技术,1995(3):41-43. |
| 作者姓名： | 高剑侠 竺士扬 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理所，中国科学院上海冶金所，江苏石油化工学院 |
| 摘 要： | 采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚或斜率减小，且阈电压漂移增加。 |
| 关 键 词： | CMOS器件 BESOI器件 电特性 温度依赖性 |
STUDY ON TEMPERATURE-DEPENDENT ELECTRIC CHARACTERISTICS OF CMOS/BESOIOEVICES |
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| Gao Jianxia,Yan Rongliang,Ren Diyuan.STUDY ON TEMPERATURE-DEPENDENT ELECTRIC CHARACTERISTICS OF CMOS/BESOIOEVICES[J].Microfabrication Technology,1995(3):41-43. | |
| Authors: | Gao Jianxia Yan Rongliang Ren Diyuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | I-V tempercqture charateristics subthreshold slope drift CMOS/BESOI device |
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