Ti对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响 |
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引用本文: | 黄启忠,杨巧勤.Ti对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响[J].无机材料学报,1995,10(4):495-497. |
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作者姓名: | 黄启忠 杨巧勤 |
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摘 要: | 本文就烧结助剂Ti对C-B4C-SiC碳/陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究,X射线衍射表明Ti在烧结温度下与B发生反应在晶界生成TiB2,并产生液相,有效地促进了C-B4C-SiC复合材料的烧结,抑制了晶粒的长大,使复合材料密度与强度大幅度地增加,电阻率下降,同时TiB2的氧化时生成致密的TiO2,包裹子易氧化的B4C和C,使制品难氧化,从而大大提高了制品的抗氧化性能。
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关 键 词: | 烧结助剂 复合材料 显微结构 钛 碳 陶瓷 |
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