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| PECVD在TSV领域的应用 | |
| 引用本文： | 李晶. PECVD在TSV领域的应用[J]. 电子工业专用设备, 2014, 43(7): 6-8 |
| 作者姓名： | 李晶 |
| 作者单位： | 沈阳拓荆科技有限公司,沈阳,110179 |
| 摘 要： | PECVD设备及工艺技术已在半导体前道互连工艺及TSV领域展现了其广阔的应用前景,介绍了拓荆PECVD在TSV领域的应用,展现其良好的工艺表现。 |
| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 硅通孔技术(TSV) 正硅酸乙酯(TEOS) 二氧化硅薄膜(SiO) |
PECVD Applications in TSV |
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| Li Jing. PECVD Applications in TSV[J]. Equipment for Electronic Products Marufacturing, 2014, 43(7): 6-8 | |
| Authors: | Li Jing |
| Affiliation: | Li Jing (Piotech Co., Ltd, Shenyang 110179, China) |
| Abstract: | PECVD equipment and process technology has shown broad applications in theFront-End-of-Line （FEOL） semiconductor manufacturing process. This paper mainly introduces thenew application of PECVD in the emerging Through -Silicon-Via （TSV） technology and its goodperformance. |
| Keywords: | PECVD （ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ） TSV （Through Silicon Via） TEOS： SiO2 film |
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