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| 国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ） | |
| 引用本文： | 王旗,陈振.国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）[J].半导体光电,1996,17(4):305-312. |
| 作者姓名： | 王旗 陈振 |
| 作者单位： | 西南技术物理所 |
| 摘 要： | 国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度，高的可动性和两性电活性而难于控制，所以，对于过渡元素的研究... |
| 关 键 词： | 硅单晶 硅 质量 半导体材料 |
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