| 金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 伍智,杨卫英,李蓉,曾敏,邹桂娟.金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究[J].材料导报,2005,19(Z2):332-334. |
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| 作者姓名： | 伍智 杨卫英 李蓉 曾敏 邹桂娟 |
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| 作者单位： | 中物院电子工程研究所,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 中国物理研究院资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响,初步分析了其影响原因与机理.结果表明:掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高,1300℃是其最佳金属化温度,温度降低和升高都会导致封接性能降低.在最佳温度,金属化层烧结致密,金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石(MnO·Al2O3)和少量硅氧化物构成的过渡层结构,从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起.温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞,元素氧化加剧,不利于过渡层的形成,导致封接性能大大降低.
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| 关 键 词： | 锰铬陶瓷 金属化温度 封接性能 影响 机理 |
Study on Effects of Metalization-sintering Temperature upon Seal Properties of Ceramics Doped with Mn and Cr |
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| WU Zhi,YANG Weiying,LI Rong,ZENG Min,ZOU Guijuan.Study on Effects of Metalization-sintering Temperature upon Seal Properties of Ceramics Doped with Mn and Cr[J].Materials Review,2005,19(Z2):332-334. |
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| Authors: | WU Zhi YANG Weiying LI Rong ZENG Min ZOU Guijuan |
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