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| 电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析 | |
| 作者单位： | ;1.西南交通大学电磁场与微波技术研究所 |
| 摘 要： | 为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。 |
| 关 键 词： | 二极管 PN结 电磁脉冲 阈值 |
Analysis of the effect of the parameters of the electromagnetic pulse on the breakdown characteristics of the diode |
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| Keywords: | |