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| P型Hg0.76Cd0.24Te的子能带结构 | |
| 作者姓名： | 刘坤 褚君浩 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 制备了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２４）ＭＩＳ器件,用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ－Ｖ谱。根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱,获得了反型层电子子能带结构、,与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。并获得了有关界面态与绝缘层固定电荷的结果。 |
| 关 键 词： | 电容谱 能带结构 碲镉汞 子能带 |
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