InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 |
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引用本文: | 刘振先,李国华.InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):45-51. |
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作者姓名: | 刘振先 李国华 |
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摘 要: | 用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/
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关 键 词: | 多量子阱 光致发光 高压 |
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